Name: BSS225H6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS225H6327FTSA1TR-ND
Price: 0.81 USD
Availability: InStock

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BSS225H6327FTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSS225H6327FTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSS225H6327FTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSS225H6327FTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS225H6327FTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) PG-SOT89
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS225H6327FTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	45Ohm a 90mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 94µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	131 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT89
Paquete / Caja (carcasa)	TO-243AA
Número de producto base	BSS225