BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

BSS169IXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS169IXTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) PG-SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS169IXTSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	190mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (máx) a Id	1.8V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.1 nC @ 7 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	51 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS169IXTSA1