BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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BSC082N10LSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC082N10LSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC082N10LSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC082N10LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC082N10LSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 13.8H (Ta), 100H (Tc) 156W (Tc) PG-TDSON-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC082N10LSGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 110µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 104 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7400 pF @ 50 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 156W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13.8H (Ta), 100H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base BSC082
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.2mOhm a 100A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (7)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSC070N10LS5ATMA1	Infineon Technologies	3,887	448-BSC070N10LS5ATMA1CT-ND	$1.99000	MFR recomendado
CSD19533Q5A	Texas Instruments	272	296-37479-1-ND	$2.39000	Similar
CSD19533Q5AT	Texas Instruments	581	296-44472-1-ND	$3.22000	Similar
FDMS86101	onsemi	12,657	FDMS86101CT-ND	$3.19000	Similar
FDMS86103L	onsemi	0	FDMS86103LCT-ND	$3.90000	Similar

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Cinta cortada (CT)

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