Name: BSC019N04NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC019N04NSGATMA1TR-ND
Price: 1.85 USD
Availability: InStock

BSC019N04NSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC019N04NSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC019N04NSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC019N04NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC019N04NSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) PG-TDSON-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC019N04NSGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 85µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8800 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC019

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5,000	$0.48136	$2,406.80
10,000	$0.47250	$4,725.00

BSC019N04NSGATMA1