BSC014N03MSGATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

BSC014N03MSGATMA1
cms-digikey-product-number	BSC014N03MSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSC014N03MSGATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N Montaje en superficie 30 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) PG-TDSON-8-1
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cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	13000 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

BSC014N03MSGATMA1