Name: GT100N20TT
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N20TTTR-ND
Price: 4.81 USD
Availability: InStock

GT100N20TT
N.º de producto de DigiKey	3141-GT100N20TTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT100N20TTCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT100N20TTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT100N20TT
Descripción	MOSFET N-CH 200V 130A 280W TOLT
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 130A (Tc) 280W (Tc) TOLT
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	130A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4900 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	280W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TOLT
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo 16-PowerSOP

GT100N20TT