Name: GT095N04D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT095N04D5TR-ND
Price: 0.86 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

GT095N04D5
N.º de producto de DigiKey	3141-GT095N04D5TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT095N04D5CT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT095N04D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT095N04D5
Descripción	MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 54A (Tc) 29.8W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	54A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	942 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	29.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (4.9x5.75)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN