GT700P08T
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GC20N65T

N.º de producto de DigiKey
3141-GC20N65T-ND
Fabricante
Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante
GC20N65T
Descripción
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Plazo estándar del fabricante
8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 20A (Tc) 151W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Goford Semiconductor
Serie
SuperJunction
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
170mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1724 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Preguntas y respuestas sobre el producto

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En stock: 22
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.83000$3.83
50$1.94040$97.02
100$1.75770$175.77
500$1.43762$718.81
1,000$1.33481$1,334.81
2,000$1.27500$2,550.00
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.