Name: G110N06K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G110N06KTR-ND
Price: 1.73 USD
Availability: InStock

G110N06K
N.º de producto de DigiKey	3141-G110N06KTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G110N06KCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G110N06KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G110N06K
Descripción	N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	110A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.4mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5538 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

G110N06K