FCH76N60N Fairchild Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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FCH76N60N
N.º de producto de DigiKey	2156-FCH76N60N-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FCH76N60N
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	SupreMOS™
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	76A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	36mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	12385 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	543W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3