EPC2108 EPC | Productos de semiconductores discretos

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EPC2108
N.º de producto de DigiKey	917-1169-2-ND - Cinta y rollo (TR) 917-1169-1-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	EPC
Número de pieza del fabricante	EPC2108
Descripción	MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V, 100V 1.7A, 500mA Montaje en superficie 9-BGA (1.35x1.35)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	EPC
Serie	eGaN®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Configuración	3 canales N (medio puente + bootstrap sincrónico)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V, 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.7A, 500mA
Rds On (máx) @ Id, Vgs	190mOhm a 2.5A, 5V, 3.3Ohm a 2.5A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 100µA, 2.5V a 20µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	22pF a 30V, 7pF a 30V
Potencia - Máx.	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	9-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor	9-BGA (1.35x1.35)
Número de producto base	EPC210