Canal N Orificio pasante 650 V 36A (Tc) 175W (Tc) TO-247
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DIW065SIC080

N.º de producto de DigiKey
4878-DIW065SIC080-ND
Fabricante
Diotec Semiconductor
Número de pieza del fabricante
DIW065SIC080
Descripción
SICFET N-CH 650V 36A TO-247-3
Plazo estándar del fabricante
10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 36A (Tc) 175W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
DIW065SIC080 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Diotec Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
36A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
80mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+18V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1480 pF @ 600 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$9.77000$9.77
30$5.76867$173.06
120$4.89050$586.86
510$4.46300$2,276.13
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.