Name: DI170SIC850D7
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI170SIC850D7TR-ND
Price: 5.61 USD
Availability: OutOfStock

DI170SIC850D7
N.º de producto de DigiKey	4878-DI170SIC850D7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 4878-DI170SIC850D7CT-ND - Cinta cortada (CT) 4878-DI170SIC850D7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de pieza del fabricante	DI170SIC850D7
Descripción	SIC MOSFET, TO-263-7L, N, 7A, 17
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 7A (Tc) 62W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diotec Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	850mOhm a 2A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	198 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	62W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

DI170SIC850D7