Name: ZXMN2A04DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2A04DN8TR-ND
Price: 2.94 USD
Availability: InStock

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ZXMN2A04DN8TA
N.º de producto de DigiKey	ZXMN2A04DN8TR-ND - Cinta y rollo (TR) ZXMN2A04DN8CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	ZXMN2A04DN8TA
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 5.9A 1.8W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 700mV a 250µA (mín.)
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22.1nC a 5V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1880pF a 10V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 1.8W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.9A	Número de producto base ZXMN2
Rds On (máx) @ Id, Vgs 25mOhm a 5.9A, 4.5V

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Documentos y medios

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Cinta cortada (CT)

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

ZXMN2A04DN8TA