Name: DMTH6016LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LSDQ-13DITR-ND
Price: 1.72 USD
Availability: InStock

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DMTH6016LSDQ-13
N.º de producto de DigiKey	DMTH6016LSDQ-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMTH6016LSDQ-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMTH6016LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH6016LSDQ-13
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.6A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	19.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	864pF a 30V
Potencia - Máx.	1.4W, 1.9W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	DMTH6016