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Canal N Montaje en superficie 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) POWERDI3333-8
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DMG7702SFG-13

N.º de producto de DigiKey
DMG7702SFG-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante
DMG7702SFG-13
Descripción
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) POWERDI3333-8
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Diodes Incorporated
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mOhm a 13.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
14.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4310 pF @ 15 V
Característica de FET
Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
890mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
POWERDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
DMG7702
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