Name: CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND
Price: 6.99 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 650 V 17A (Tc) 1.1W (Ta), 113W (Tc) 8-DFN (5x6)

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CDF56G6517N TR13 PBFREE
N.º de producto de DigiKey	1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND - Cinta y rollo (TR) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREECT-ND - Cinta cortada (CT) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Central Semiconductor Corp
Número de pieza del fabricante	CDF56G6517N TR13 PBFREE
Descripción	650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 650 V 17A (Tc) 1.1W (Ta), 113W (Tc) 8-DFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CDF56G6517N TR13 PBFREE Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 17.2mA
Fabricante Central Semiconductor Corp	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.5 nC @ 6 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +7V, -1.4V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 125 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.1W (Ta), 113W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 17A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (5x6)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 140mOhm a 5A, 6V