NVSRAM (SRAM no volátil) Memoria IC 16Mbit Paralelo 100 ns 36-EDIP
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DS1270W-100IND

N.º de producto de DigiKey
DS1270W-100IND-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
DS1270W-100IND
Descripción
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
Referencia del cliente
Descripción detallada
NVSRAM (SRAM no volátil) Memoria IC 16Mbit Paralelo 100 ns 36-EDIP
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
DS1270W-100IND Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
DigiKey programable
No verificado
Tipo de memoria
No volátil
Formato de la memoria
Tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
del programa
Organización de la memoria
2M x 8
Interfaz de memoria
Paralelo
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
100ns
Tiempo de acceso
100 ns
Voltaje de la fuente
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
36-EDIP
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Obsoleto
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