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SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET
Vishay Siliconix ofrece el MOSFET de canal N SIRA20DP de 25 V, 0.58 mΩ que proporciona la RDS máxima más baja.
Vishay Siliconix presenta el MOSFET de canal N SiRA20DP de 25 V con la más baja RDS (ON) en su clase. Reduce la pérdida de energía relacionada con la conmutación mediante la optimización de la carga total de compuerta (Qg), carga de drenaje de compuerta (Qgd) y relación Qgd/carga de fuente de compuerta (Qgs). La carga "miller" muy baja Qgd permite pasar voltaje de meseta más rápidamente. Está envasado en un diseño convencional PowerPAK® SO-8. Presenta mayor densidad de energía sin cambiar la dimensión del paquete y configuración de pin. El clip 10 mil reduce la resistencia del paquete contribuida en un 66% y maximiza el rendimiento del silicio.
Características
- Proporciona el índice máximo RRDS (ON) más bajo en VGS = 10 V
- Aumenta la densidad de energía a medida que la RRDS (ON) corta la pérdida de la energía de conducción
- Proporciona el menor Qg para dispositivos con máxima RRDS (ON) <0.6 mΩ
- Cumplimiento al 100% de las pruebas Rg y UIS
- Baja Qg que permite alta eficiencia de conversión CC/CC
- Disponible en paquete PowerPAK SO-8
Aplicaciones
- Rectificación sincrónica
- Alta densidad de potencia CC/CC
- Convertidores reductores sincrónicos
- Juntas tóricas
- Conmutación de carga
- Administración de baterías
SIRA20DP TrenchFET Gen IV MOSFET
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIRA20DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK | 25 V | 81.7A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 1724 - Inmediata | $3.01 | Ver detalles |
Publicado: 2017-05-04
