Vishay / Siliconix

MOSFET de 40 V de canal N SiR638DP

El MOSFET de 40 V de canal N SiR638DPde Vishay ofrece alta corriente y baja RDS (encendido).

Imagen de MOSFET de 40 V de canal N SiR638DPVishay ofrece la serie SiR638DP que es una combinación de la RDS (ON) mejor en su clase y la capacitancia de salida (Coss) para reducir pérdidas de energía del sistema. Cuenta con un robusto paquete PowerPAK SO-8 con una calificación de corriente CC de 100 A. El paquete PowerPAK SO-8 utiliza el mismo espacio y la misma configuración de pines que el paquete estándar SO-8. Esto permite a PowerPAK sustituir directamente un paquete estándar de SO-8. Al ser un paquete sin conductores, el PowerPAK SO-8 utiliza la huella entera de SO-8, liberando espacio normalmente ocupado por los conductores y así le permite sostener un chip más grande que un paquete estándar de SO-8.

Características
  • MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
  • Cumplimiento al 100% de las pruebas Rg y UIS
  • Índice Qgd/Qgs de < 1 para optimizar las funciones de conmutación
Aplicaciones
  • Rectificación sincrónica
  • Juntas tóricas
  • Alta densidad de potencia CC/CC
  • VRMS y CC/CC integrada
  • Inversores de CC/CA
  • Interruptores de carga

SiR638DP N-Channel 40 V MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8SIR638DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-840 V6095 - Inmediata$2.38Ver detalles
Publicado: 2016-10-10

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