El continuo crecimiento del tráfico de datos, conducido por teléfonos inteligentes, accesorios personales y aplicaciones tales como realidad virtual y la Internet de las cosas (IoT) - conduce a un número creciente de interfaces de alta velocidad que típicamente requieren protección contra eventos ESD. Para hacer frente a esta demanda, Toshiba Electronics Europe ha lanzado nuevos diodos de protección ESD basados en su 4ª generación de proceso de matrices de diodo ESD (EAP-IV), que utiliza la tecnología patentada snapback de Toshiba.
Las series DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N y DF10G6M4N ofrecen protección para interfaces de alta velocidad, incluidas las aplicaciones USB 3.1. Una opción de voltajes de funcionamiento (3.6 y 5.5 V) y paquetes (SOD962 y DFN10) proporcionan opciones flexibles para la realización de la protección del ESD en una variedad de diseños.
Gracias al nuevo proceso de Toshiba, los cuatro dispositivos al mismo tiempo entregan baja capacitancia, baja resistencia dinámica y alta resistencia de ESD. Se garantiza mínima distorsión de señal en las señales de datos de alta velocidad mediante la capacitancia extremadamente baja de 0.2 pF, mientras que una resistencia dinámica típica de RDYN= 0.5 Ω asegura bajo voltaje de abrazadera. Altos niveles de protección de ESD son compatibles como tensiones electrostáticas de al menos ±20 kV y están garantizados según IEC61000-4-2.
Los dispositivos de la serie DF2BxM4SL son especialmente aptos para montaje en placas de CI de alta densidad, ya que el paquete SOD-962 requiere una huella de sólo 0.62 x 0.32 mm y puede colocarse cerca de los CI que necesitan protección de ESD. Para los tipos DF10GxM4N, el paquete DFN10 puede colocarse simplemente sobre una línea de bus de 4 bits. Este diseño de flujo pasante admite bus simple de enrutamiento en la placa de CI ya que no se requieren extremos adicionales para conectar los diodos TVS simples.
Toshiba también ofrece una variedad de diodos ESD de bajo costo para aplicaciones menos exigentes, desde velocidades de USB y HDMI para protección de puertos y botones de audio.
| Características (usando DF2B6M4SL como ejemplo) |
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- Descarga IEC61000-4-2 (aire/contacto): ±20 kV / ±20 kV
- Resistencia dinámica muy baja (RDYN)=0.5 Ω
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- Baja capacitancia: CT= 0.2 pF
- Pequeño paquete SOD-962: 0.62 x 0.32 mm
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Aplicaciones
- Productos electrónicos de consumo
- Teléfonos celulares
- Dispositivos para vestir (portátiles)
- Hubs y enrutadores
- Batería electrónica
- Internet de las cosas (IOT)
- Puertos USB2.0 / USB3.0 / USB Type-C™
- Puertos HDMI
- Puertos HDMI2.0
- Puertos Ethernet
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El continuo crecimiento del tráfico de datos, conducido por teléfonos inteligentes, accesorios personales y aplicaciones tales como realidad virtual y la Internet de las cosas (IoT) - conduce a un número creciente de interfaces de alta velocidad que típicamente requieren protección contra eventos ESD. Para hacer frente a esta demanda, Toshiba Electronics Europe ha lanzado nuevos diodos de protección ESD basados en su 4ª generación de proceso de matrices de diodo ESD (EAP-IV), que utiliza la tecnología patentada snapback de Toshiba.
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