MOSFET DTMOSIV Superjunction

Con RDS(ON) ultra baja, los MOSFET Superjunction (SJ) DTMOSIV de 600 V de Toshiba son ideales para conmutar las fuentes de alimentación, los micro inversores, los adaptadores, los inversores fotovoltaicos y otras aplicaciones de alimentación que demandan una combinación de alta velocidad, alta eficiencia y ruido EMI bajo.

Los MOSFET Superjunction ofrecen una resistencia en estado encendido muy baja sin inconvenientes por pérdida de potencia. Como resultado, el nuevo proceso DTMOSIV de Toshiba, que se está implementando en la última familia de MOSFET de potencia de 600 V, de alta eficiencia y de alta velocidad, ofrece clasificaciones de resistencia en modo encendido que son un 30% menores que los productos DTMOS de la tercera generación para el mismo tamaño de matriz.

El beneficio es que los diseñadores ahora pueden elegir un MOSFET de 600 V en un paquete TO-220SIS con un RDS(ON) de solo 0.065 Ω o un dispositivo similar en un paquete TO-247 con un RDS(ON) hasta 0.04 Ω.

Además de impulsar hacia abajo la resistencia, el proceso DTMOSIV ha permitido que Toshiba minimice la capacitancia de salida de MOSFET (Coss) para el funcionamiento de la fuente de alimentación de conmutación optimizada con carga ligera. Una capacitancia de drenaje de compuerta optimizada (Cgd) ofrece un control de conmutación DV/DT mejorada mientras ofrece un coeficiente de calidad RDS(on)*Qg que admite la conmutación de alta eficiencia. Al admitir bajas calificaciones de DV/DT, el DTMOSIV también reduce el ruido EMI en circuitos de conmutación de alta velocidad.