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MOSFET de potencia de 650 V TO-220 de canal N de la serie DTMOS VI
Los MOSFET de potencia de Toshiba ayudan a mejorar la eficiencia de la fuente de alimentación
La serie DTMOS VI de MOSFET de potencia de canal N con estructura de superunión de 650 V de Toshiba está diseñada para fuentes de alimentación de conmutación en equipos industriales utilizados para centros de datos, y acondicionadores de potencia para generadores fotovoltaicos (FV), entre otros usos.
Los últimos productos de esta generación se alojan en un paquete TO-220 estándar de la industria, con un tamaño de 10.167 mm x 13.9 mm x 2.74 mm.
La serie DTMOS VI ha reducido la figura de mérito (resistencia de drenaje-fuente x carga de drenaje-puerta) en aproximadamente un 40 % en comparación con la generación actual de la serie DTMOS IV-H de Toshiba. Esto puede ofrecer una eficiencia mejorada de las fuentes de alimentación conmutadas en aproximadamente un 0.36 %.
- Mejora de la eficiencia de las fuentes de alimentación conmutadas
- Tipo de orificio pasante del paquete TO-220
- Unidades de motor industriales
- Cargadores de baterías
- Convertidores de CA/CC o CC/CC
- Circuitos de corrección del factor de potencia
- Sistemas de almacenamiento de energía
- Energía solar
- Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS)
650 V TO-220 N-Channel DTMOS VI Series Power MOSFETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TK090E65Z,S1X | 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM | 53 - Inmediata | $6.77 | Ver detalles |
| | TK110E65Z,S1X | 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM | 50 - Inmediata | $5.96 | Ver detalles |
| | TK155E65Z,S1X | 650V DTMOS VI TO-220 155MOHM | 344 - Inmediata | $4.83 | Ver detalles |
| | TK190E65Z,S1X | 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM | 80 - Inmediata | $4.30 | Ver detalles |
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