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MOSFET de potencia planar de 600 V π-MOS serie IX
La serie IX de π-MOS de MOSFET planares de 600 V de Toshiba combina alto rendimiento y bajo nivel de ruido.
La serie IX de π-MOS, que consiste en los modelos TK650A60F, TK750A60F, TK1K2A60F y TK1K9A60F, se basa en la novena generación de MOSFET planares de 600 V de Toshiba.
Con un diseño optimizado de chip, la serie IX de π-MOS ofrece ruido EMI de 5 dB de pico más bajo que la actual serie de π-MOS manteniendo el mismo nivel de eficiencia. Ofrece una mayor libertad de diseño y por lo tanto ayuda a reducir las cargas de trabajo de diseño. Además, la serie IX de π-MOS tiene la misma avalancha nominal de corriente y corriente directa (CC) nominal, haciéndola simple de reemplazar a los MOSFET existentes.
Toshiba ampliará la serie IX de π-MOS con la adición de más dispositivos de 600 V, 500 V y 650 V.
Características
- Combina alta eficiencia y bajo nivel de ruido
- Equivalente de corriente de avalancha nominal a la CC nominal
Aplicaciones
- Fuentes de alimentación de conmutación pequeñas y medianas para notebook PC, adaptadores de CA y cargadores de consola de juegos
- Fuentes de alimentación de iluminación
600 V Planar Power MOSFET π-MOS IX Series
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TK650A60F,S4X | MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS | 650mOhm a 5.5A, 10V | 34 nC @ 10 V | ±30V | 52 - Inmediata | $2.36 | Ver detalles |
| | TK750A60F,S4X | MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS | 750mOhm a 5A, 10V | 30 nC @ 10 V | ±30V | 453 - Inmediata | $3.13 | Ver detalles |
| | TK1K2A60F,S4X | MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS | 1.2Ohm a 3A, 10V | 21 nC @ 10 V | ±30V | 95 - Inmediata | $1.96 | Ver detalles |
| | TK1K9A60F,S4X | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS | 1.9Ohm a 1.9A, 10V | 14 nC @ 10 V | ±30V | 0 - Inmediata | $1.77 | Ver detalles |
Publicado: 2018-05-24
