MOSFET de eficiencia ultraalta de 30 V/40 V

Toshiba ha ampliado la familia de MOSFET de bajo voltaje y eficiencia ultra alta al añadir nuevos dispositivos de 30 V y 40 V a la línea de productos existente de la empresa. Todos estos dispositivos estarán disponibles en opciones de paquetes TSON Advance y SOP Advance ultracompactos que ofrecen una baja resistencia en modo encendido, Q_OSS bajo para mayor eficiencia en fuentes de alimentación de modo de conmutación en estaciones base, servidores o equipos industriales.

Compuestos por un dispositivo de 30 V y uno de 40 V, los MOSFET de canal N se basan en proceso de semiconductores de trinchera U-MOS IX-H de próxima generación de Toshiba. Este proceso ha sido diseñado para entregar 'mejor' eficiencia en una amplia gama de condiciones de carga al reducir la resistencia ON(R_{RDS (ON)}) y al mejorar la eficiencia de conmutación mediante la reducción de carga de salida (Q_OSS).

Los MOSFET ayudan a los diseñadores a reducir las pérdidas y el espacio en placa en una variedad de circuitos de gestión de potencia incluyendo la conmutación de lado alto y bajo en la conversión CC-CC y la rectificación síncrona de lado secundario en diseños de conmutación CA-CC. Las tecnologías también son ideales para control del motor y para módulos de circuito de protección en equipos electrónicos basados en pilas iones de litio (Li-ion).

A una tensión (V_GS) de 10 V, la máxima clasificación R_{RDS (ON)} para el MOSFET de 30 V es 0.65 mΩ, mientras el C_OSS típico es 2720 PF. El MOSFET de 40 V ofrece R_{RDS (ON)} y clasificación C_OSS típica es 0.85 mΩ y 1930 PF. Esto asegura mayor flexibilidad para optimizar el rendimiento en una aplicación determinada.

Los MOSFET IX-H UMOS están disponibles en paquete TSON Advance de montaje en superficie de bajo perfil /3mm x 3mm) y SOP Advance (5 mm x 6 mm). Todos los MOSFET pueden funcionar con canales temperaturas hasta 175° C.