Convertidores reductores TPS54116-Q1

TI ofrece su solución de potencia DDR de grado automotriz serie TPS54116-Q1 con un convertidor CC/CC VDDQ, de 4 A y 2 MHz, un LDO VTT de 1 A y una salida de referencia VTTREF de búfer.

Imagen del convertidor reductor TPS54116-Q1 de Texas InstrumentsTexas Instruments presenta el TPS54116-Q1 un convertidor reductor sincrónico completo de funciones completas de 6 V y 4 A con dos MOSFET integrados de 1 A y un regulador de terminación VTT de dispación/fuente, de velocidad (DDR) de doble datos con una salida de referencia VTTREF con búfer. El regulador reductor TPS54116-Q1 reduce al mínimo el tamaño solución integrando los MOSFET y reduciendo el tamaño del inductor con una frecuencia de conmutación de 2.5 MHz. La frecuencia de conmutación puede ajustarse por encima de la banda de radio de onda media para aplicaciones sensibles al ruido y es sincronizada a un reloj externo. La rectificación síncrona mantiene la frecuencia fijada en toda la gama de la carga de salida completa. Se maximiza la eficiencia a través de los MOSFET integrados de lado bajo de 25 mΩ de lado alto de 33 mΩ. Un límite de corriente de ciclo por pico que protege el dispositivo durante una condición de sobrecorriente y es ajustable con una resistencia en el pin ILIM para optimizarlo por pequeños inductores.

El regulador de terminación VTT mantiene una respuesta transitoria rápida con sólo 2 x 10 μF de capacitancia de salida de cerámica, reduciendo el conteo de componente externos. TPS54116-Q1 utiliza sensores remotos de VTT para mejor regulación. Con los pines que permiten entrar en un modo de apagado reduce la corriente a 1 μA. Los umbrales de baja tensión de bloqueo pueden ajustarse con una red de resistencia en cualquier pin de activación. Las salidas de VTT y VTTREF se descargan cuando se deshabilita con ENLDO. La plena integración minimiza la huella del CI con un pequeño paquete WQFN, de 4 mm x 4 mm, térmicamente mejorado.

Características
  • Con calificación AEC-Q100 con los siguientes resultados:
    • Grado de temperatura de dispositivo 1: Rango de temperatura de funcionamiento ambiente de -40 ºC a 125 ºC
    • Dispositivo HBM ESD, clasificación de nivel 2
    • Nivel C6 de clasificación ESD de dispositivo CDM
  • LDO de terminación de disipación/fuente de 1 A con una precisión de ±20 mV CC
    • Estable con un capacitor MLCC 2 x 10 μF
    • Referencia de búfer de 10 mA, fuente/disipación de salida regulado, dentro de 49% a 51% de VDDQ
  • Pines independientes de habilitación con UVLO ajustable e histéresis
  • Apagado térmico
  • Solución de energía de memoria DDR2, DDR3 y DDR3L de chip único
  • Convertidor reductor sincrónico de 4 A
    • MOSFET integrado de nivel alto de 33 mΩ y de lado bajo de 25 mΩ
    • Control de modo de corriente de frecuencia fija
    • Frecuencia de conmutación ajustable de 100 kHz a 2.5 MHz
    • Sincronizable a reloj externo
    • Referencia de voltaje de 0.6 V ± 1% sobre la temperatura
    • Límite de corriente pico ciclo por ciclo ajustable
    • Encendido monotónico en las salidas prepolarizadas
  • Paquete WQFN de 24 pines, de 4 mm x 4 mm
  • Funcionamiento de -40°C a 150°C TJ

TPS54116-Q1 Step-Down Converters

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWTQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN437 - Inmediata$7.13Ver detalles
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWRQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN681 - Inmediata$6.05Ver detalles
Publicado: 2016-10-05