FET de GaN LMG3522R030

El FET de GaN LMG3522R030 de Texas Instruments cuenta con un controlador integrado y protecciones que se dirigen a los convertidores de potencia en modo interruptor y permiten a los diseñadores alcanzar niveles de densidad de potencia y eficiencia. El CI de potencia integra un controlador de silicio que permite velocidades de conmutación de hasta 150 V/ns. La polarización de puerta de precisión integrada de TI da como resultado una mayor SOA de conmutación en comparación con los controladores de compuerta de silicio discretos. Esta integración, combinada con el encapsulado de baja inductancia de TI, ofrece una conmutación limpia y un timbre mínimo en topologías de fuente de alimentación de conmutación dura.

La fuerza de accionamiento de la puerta ajustable permite controlar la velocidad de respuesta (de 20 V/ns a 150 V/ns), lo que puede controlar activamente la EMI y optimizar el rendimiento de los interruptores. Las características avanzadas de gestión de energía incluyen informes digitales de temperatura y detección de fallos. La temperatura del FET de GaN se informa a través de una salida PWM de ciclo de trabajo o útil variable, lo que simplifica la gestión de la carga del dispositivo. Los fallos que se han notificado incluyen sobretemperatura, sobrecorriente y monitorización de bloqueo por subtensión (UVLO).