IGBT limitadores de campo de compuerta de trinchera de grado automotriz STGWA60V60DWFAG
Los IGBT de muy alta velocidad de 600 V, 60 A de limitación de campo, compuerta de trinchera y grado automotriz de STMicroelectronics presentan un diodo SiC de rueda libre
El STGWA60V60DWFAG de
STMicroelectronics es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) desarrollado utilizando una avanzada estructura patentada de limitación de campo de compuerta de trinchera. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie V, los cuales representan un compromiso óptimo entre las pérdidas de conducción y conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de muy alta frecuencia. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución muy ajustada de los parámetros dan como resultado una operación en paralelo más segura. Junto con el IGBT, se ha adoptado un diodo de carburo de silicio: no se muestra ninguna recuperación al apagar el diodo del sistema en chip (SiC), y el comportamiento de apagado capacitivo ya mínimo es independiente de la temperatura. Su alta capacidad de sobretensión delantera asegura una buena robustez durante las fases transitorias.
- Calificación AEC-Q101
- Temperatura de unión máxima: TJ = 175 ºC
- VCE(sat) = 1.85 V (típ.) a IC = 60 A
- Corriente de conmutación sin cola
- Distribución estricta de parámetros
- Resistencia térmica baja
- Coeficiente de temperatura de VCE(sat) positivo
- El diodo de carburo de silicio con carga de recuperación no inversa se empaqueta en configuración de rueda libre
STGWA60V60DWFAG 600 V IGBT V series
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) | Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | Corriente - colector impulsado (Icm) | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | STGWA60V60DWFAG | IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247 | 600 V | 80 A | 240 A | 600 - Inmediata | $8.88 | Ver detalles |




