STMicroelectronics

IGBT de 650 V serie HB2

IGBT de campo de detención de compuerta de trinchera de STMicro, de 650 V y 40 A de la serie HB2 de alta velocidad en un paquete TO-247 de conductores largos.

Imagen de los IGBT de 650 V de la serie HB2 de STMicroelectronicsSTMicroelectronics presenta los IGBT de 650 V serie HB2 que representan una evolución de la avanzada estructura patentada de detención de campo de compuerta de trinchera. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportmiento de VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. Un diodo que se usa solo con fines de protección se empaqueta conjuntamente en antiparalelo con el IGBT. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia de una amplia gama de aplicaciones rápidas.

Características
  • Temperatura de unión máxima: TJ = 175 ºC
  • Baja VCE(sat) = 1,55 V (típ.) @ IC = 40 A
  • Diodo de protección coempaquetado
  • Corriente de cola minimizada
  • Distribución estricta de parámetros
  • Resistencia térmica baja
  • Coeficiente de temperatura de VCE(on) positivo

HB2 Series 650 V IGBT

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247STGWA40HP65FB2IGBT TRENCH FS 650V 72A TO24736 - Inmediata$5.06Ver detalles
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HVSCTL35N65G2VTRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV5854 - Inmediata$16.02Ver detalles
Publicado: 2019-05-09

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Fecha de publicación: 2020-06-10

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