MOSFET de SiC de 1200 V Gen3 de la serie QSiC™

El MOSFET de SiC QSiC Gen3 de SemiQ reduce las pérdidas de conmutación y admite un funcionamiento más allá de 1400 V.

Imagen de los MOSFET de SiC de 1200 V Gen3 de la serie QSiC™ de SemiQEl MOSFET de carburo de silicio (SiC) de tercera generación QSiC de 1200 V de SemiQ está diseñado para aplicaciones de alto voltaje que exigen mayor eficiencia, tamaño compacto y rendimiento térmico. Aproximadamente un 20% más pequeño que la generación anterior, reduce las pérdidas de conmutación y admite un funcionamiento más allá de 1400 V. Ideal para estaciones de carga de vehículos eléctricos, inversores solares, sistemas de energía renovable, fuentes de alimentación industriales, accionamientos de motores y calentamiento por inducción, este dispositivo ayuda a reducir el tamaño del sistema al tiempo que mejora la densidad de potencia y la confiabilidad.

Disponible en paquetes de matriz sin revestir, SOT-227, TSPak y TO-247-4L, el MOSFET de SiC Gen3 brinda a los ingenieros flexibilidad en una variedad de diseños de energía. Con un rendimiento de SiC probado y una construcción robusta, es compatible con la electrónica de potencia eficiente de nueva generación en los sectores industrial y de las energías renovables.

Características
  • Conmutación de alta velocidad para una mayor eficiencia
  • Diodo de cuerpo fiable para un rendimiento robusto
  • 100% probado en >1400 V
  • Referencia Kelvin para un funcionamiento estable
  • Placa posterior aislada para mayor seguridad
  • Avalancha probada a 160 mJ para mayor durabilidad
  • Pin de fuente del controlador para un control optimizado de la puerta de enlace
Aplicaciones
  • Inversores solares y fotovoltaicos
  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y sistemas SAI
  • Equipos de calentamiento y soldadura por inducción
  • Estaciones de carga de vehículos eléctricos
  • Convertidores de CC/CC de alto voltaje
  • Accionamientos de motor
  • Cargadores de baterías
  • Fuentes de alimentación de servidores
  • Sistemas de almacenamiento de energía

QSiC™ Series 1200 V Gen3 SiC MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2GP3T016A120HGEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-238 - Inmediata$12.87Ver detalles
GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2GP3T020A120HGEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-20 - Inmediata$11.76Ver detalles
GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2GP3T040A120HGEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-298 - Inmediata$7.84Ver detalles
GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2GP3T080A120HGEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2133 - Inmediata$5.73Ver detalles
1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MODGCMX020A120B2T1P1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD10 - Inmediata$72.12Ver detalles
1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MODGCMX040A120B2T1P1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD10 - Inmediata$50.00Ver detalles
1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MODGCMX080A120B2T1P1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD11 - Inmediata$37.49Ver detalles
GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULEGCMX080C120S1-E1GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE30 - Inmediata$21.36Ver detalles
GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULEGCMX040C120S1-E1GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE18 - Inmediata$22.83Ver detalles
GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULEGCMX016C120S1-E1GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE0 - Inmediata$27.24Ver detalles
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,GCMX008C120S1-E1GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,31 - Inmediata$33.23Ver detalles
GEN3 1200V 80M SIC MOSFET  & SBDGCMS080C120S1-E1GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD30 - Inmediata$22.36Ver detalles
GEN3 1200V 40M SIC MOSFET  & SBDGCMS040C120S1-E1GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD10 - Inmediata$24.99Ver detalles
GEN3 1200V 16M SIC MOSFET  & SBDGCMS016C120S1-E1GEN3 1200V 16M SIC MOSFET & SBD30 - Inmediata$32.17Ver detalles
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET  & SBDGCMS008C120S1-E1GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD7 - Inmediata$42.09Ver detalles
Publicado: 2025-10-09