CI de memoria FeRAM de 1 Mbit MR45V100A

ROHM presenta la memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 1 Mbit (FeRAM) serie MR45V100A diseñada para aplicaciones tales como medidores inteligentes, equipos de medición, equipos médicos y terminales financieras que requieren la adquisición rápida y frecuente de datos de registro y/o respaldo de datos rápido en emergencias. En comparación con otras memorias no volátiles, como EEPROM y Flash, FeRAM presenta una reescritura de datos más rápida, una mayor durabilidad de la reescritura y un menor consumo de energía.

El MR45V100A proporciona una operación de alta velocidad de 40 MHz en un amplio rango de voltaje de alimentación de 1,8 V a 3,6 V a través del bus SPI. La gran capacidad de 1 Mbit garantiza un rendimiento estable y de alta velocidad incluso durante caídas repentinas de voltaje en entornos de energía inestables, lo que contribuye a mejorar la confiabilidad cuando se usa para respaldo de alta velocidad en equipos instalados. Alternativamente, el MR44V100A presenta un bus I²C I/F adecuado para aplicaciones que no requieren una operación de alta velocidad.

Además, teniendo en cuenta las aplicaciones móviles, el modo de espera se ha mejorado para frenar el aumento del consumo de energía que se produce al aumentar la capacidad de la memoria y se ha implementado un modo de suspensión para reducir aún más el consumo de energía. Esto da como resultado una baja corriente de espera de 10 µA (promedio) y una corriente de reposo de solo 0,1 µA (promedio), lo que los hace ideales para dispositivos portátiles y terminales útiles, como terminales de aprobación y registradores de datos, que dan importancia al tiempo de funcionamiento de la batería.