Interruptor bidireccional de GaN de alto voltaje 650 V 110 mΩ serie TP65B110HRU

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Productos destacados > Interruptor bidireccional de GaN de alto voltaje 650 V 110 mΩ serie TP65B110HRU

            Interruptor bidireccional de GaN de alto voltaje 650 V 110 mΩ serie TP65B110HRU
                    El interruptor bidireccional GaN de alto voltaje TP65B110HRU 650 V 110 mΩ de Renesas ofrece diodo en vacío incorporado con baja caída de tensión.
    

Imagen del interruptor bidireccional GaN de alto voltaje 650 V 110 mΩ TP65B110HRU de Renesas El TP65B110HRU es un interruptor bidireccional (BDS) de drenaje común de 650 V y 110 mΩ construido sobre la plataforma bidireccional SuperGaN® Gen I de Renesas. Conduce la corriente y bloquea la tensión en ambas direcciones con la huella más pequeña y una excelente figura de mérito de conmutación. El dispositivo combina un GaN monolítico bidireccional de alto voltaje y modo de mínima con MOSFET de silicio normalmente apagados y de bajo voltaje para proporcionar un rendimiento superior, un umbral alto para la compatibilidad de accionamiento de puerta estándar, una integración sencilla y una fiabilidad robusta para aplicaciones de potencia avanzadas.