MRAM series M1000/M3000

La MRAM de alta velocidad, alto rendimiento y no volátil de Renesas ofrece una confiabilidad superior.

Imagen de MRAM Series M1000/M3000 de RenesasRenesas presenta la familia MRAM de RAM no volátil de 108 MHz de alta velocidad y alto rendimiento que ofrece una confiabilidad superior y una retención de datos superior a 20 años. No requiere baterías de respaldo o capacitores en comparación con SRAM no volátil. El M30xx admite interfaces quad SPI SDR y DDR, funciona de -40 °C a +105 °C (versión industrial plus) y está disponible en paquete SOIC o WSON. Los dispositivos MRAM son ideales para aplicaciones de memoria no volátiles de alta velocidad, como el almacenamiento de programas y la copia de seguridad de datos.

Características
  • Memoria no volátil
  • Alta resistencia:> 10E16 ciclos
  • Larga retención de datos:> 20 años
  • Lectura y escritura rápidas, escritura sin espera
  • Protección de datos con modo de protección de hardware (HPM), NVM especial programable/bloqueable por el usuario y modo de protección de software (SPM)
  • No requiere batería de respaldo
  • Utiliza tecnología avanzada pMTJ STT-MRAM
  • Densidad de memoria: 4 Mb a 16 Mb
  • Interfaz Quad SPI de alta velocidad, modo SDR de hasta 108 MHz
  • La corriente de escritura y lectura activa más baja
  • NVM independiente de 256 bytes programable y bloqueable por el usuario
  • Rango de temperatura de funcionamiento industrial: −40 ºC a +105 ºC
  • Tensión de alimentación: 1,8 V y 3 V
  • Paquete: SOIC de 8 pines y WSON de 8 almohadillas
Aplicaciones
  • Controles y automatización industriales
  • Dispositivos médicos
  • Dispositivos de vestir
  • Sistemas de redes
  • Almacenamiento/RAID
  • Aplicaciones automotrices

MRAM Microcontroller

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MRAM Evaluation Board

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Publicado: 2020-06-17