Qorvo

Transistor RF de GaN de 7 W con adaptación de entrada QPD1011A

Los HEMT de GaN en SiC de banda ancha de Qorvo están diseñados para aplicaciones de RF de 30 MHz a 1,200 MHz

Imagen del transistor RF de GaN de 7 W con adaptación de entrada QPD1011A de QorvoEl QPD1011A de Qorvo es un HEMT GaN en SiC discreto diseñado para aplicaciones de potencia de RF a través de 30 MHz a 1,200 MHz. Incorpora una red de adaptación de entrada integrada para impedancia de 50 Ω, lo que permite un diseño simplificado y un rendimiento uniforme. El dispositivo admite el funcionamiento tanto en onda continua como en pulsos, lo que lo hace adecuado para entornos de RF exigentes.

Con un voltaje de drenaje de 50 V y una potencia de salida típica de 8.7 W a 1 GHz, el QPD1011A ofrece una alta eficiencia y ganancia. Su paquete de baja resistencia térmica garantiza un funcionamiento fiable bajo condiciones de alta potencia. El paquete compacto SMT sin plomo de 6 mm × 5 mm es ideal para diseños con espacio limitado, como radios portátiles y sistemas de radar.

Características
  • Rango de frecuencia: 30 MHz a 1,200 MHz
  • Potencia de salida (P3dB): 8.7 W a 1 GHz
  • Eficiencia típica de potencia añadida (PAE): 60 % a 1 GHz
  • Ganancia lineal: ~21 dB
  • Voltaje de funcionamiento: 50 V, con capacidad de CW e impulsos
  • Paquete compacto SMT sin plomo de 6 mm × 5 mm, cumple con la directiva RoHS
Aplicaciones
  • Sistemas de radar militares y civiles
  • Comunicaciones móviles terrestres y militares por radio
  • Amplificadores de potencia de RF de banda ancha y estrecha
  • Instrumentación de prueba que requiere alta linealidad
  • Sistemas electrónicos de contramedidas (interferidores)

QPD1011A 7 W GaN RF Input-Matched Transistor

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Publicado: 2025-12-08