MOSFET de canal N de 30 V y 40 V para aplicaciones automotrices

PANJIT presenta los MOSFET de potencia de canal N que están diseñados con tecnología avanzada de trinchera de puerta dividida (SGT) para optimizar la conmutación rápida y la alta eficiencia energética. Su baja resistencia a la transmisión en un diseño de chip compacto ofrece una excelente figura de mérito (FOM), reduciendo tanto las pérdidas por conducción como por conmutación. La estructura de trinchera optimizada admite velocidades de conmutación rápidas a la vez que mejora la robustez, lo que la hace ideal para aplicaciones de potencia de alta corriente y eficiencia. El MOSFET se ofrece en encapsulados DFN3333-8L, DFN5060-8L y DFN5060B-8L, con calificación AEC-Q101 para aplicaciones automotrices, conforme a las normas de compuestos de moldeo ecológicos según IEC 61249, y sin plomo según EU RoHS 2.0, lo que respalda el diseño de productos sostenibles.