Soluciones para infraestructura energética

Los controladores de puerta con transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) NCD570x de onsemi son dispositivos de alta corriente y alto rendimiento para aplicaciones de alta potencia, como inversores solares, control de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS). Estos controladores de puerta están altamente integrados, por lo que ofrecen una solución rentable mediante la eliminación de muchos componentes externos y la integración de características de protección.

El monitoreo del consumo de corriente brinda información crítica que asiste en las funciones de seguridad y diagnóstico de un sistema. onsemi ofrece amplificadores de detección de corriente que integran resistencias externas para ofrecer una mayor precisión y una solución más pequeña, además de los amplificadores operacionales autónomos y rentables.

Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de 650 V y 1200 V de onsemi presentan una construcción de bloqueo por campo y barrera sólida y rentable, proporcionan un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes, y ofrecen un voltaje de estado bajo y una pérdida de conmutación mínima.

La serie de MOSFET SuperFET III de 650 V de onsemi ofrece de superunión de alto rendimiento diseñados específicamente para alta densidad de potencia. Con el mejor FOM y Eoss en su clase, la tecnología SuperFET III reduce RDS(ON) en más del 40% en el mismo tamaño de paquete en comparación con la tecnología líder en la industria previa. Esto permite a los diseñadores de productos utilizar el tamaño de paquete reducido o la mayor potencia en el mismo espacio. El SuperFET III presenta un cuerpo sólido de diodo y un comportamiento de conmutación equilibrado.

Estos MOSFET se fabrican utilizando el proceso avanzado PowerTrench® de onsemi que incorpora la tecnología Shielded Gate. Los avances en las tecnologías de paquetes de silicio y de Dual Cool™ se combinaron para ofrecer el mínimo de rDS(on) y al mismo tiempo mantener un excelente rendimiento de conmutación gracias a la resistencia térmica de unión a entorno extremadamente baja.

Los módulos de alimentación integrados aprovechan la amplia experiencia de onsemi en IGBT de encendido automotriz y el desarrollo de módulos inteligentes de potencia (IPM), así como la experiencia en el empaque para brindar soluciones energéticas totalmente calificadas según los más altos estándares de la industria. Además, las soluciones de módulos onsemi brindan a los clientes una cadena de suministro totalmente integrada para silicio y empaques, lo que garantiza alta calidad y rentabilidad.

El NXH80B120L2Q0SG es un módulo de potencia que contiene una etapa de refuerzo doble que consta de dos IGBT de 40 A/1200 V, dos diodos de sistema en chip (SiC) de 15 A/1200 V y dos diodos antiparalelos de 25 A/1600 V para los IGBT. Se incluyen dos rectificadores de derivación de 25 A/1600 V adicionales utilizados para el límite de corriente de irrupción. Incluye un termistor incorporado.

Los diodos de carburo de silicio (SiC) Schottky utilizan una tecnología completamente nueva que provee un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad del silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independientes de la temperatura y un excelente rendimiento térmico, el carburo de silicio se establece como la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, una frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, una EMI reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducido.

La cartera de rectificadores de alta tensión de onsemi incluye las mejores soluciones de su clase para una amplia variedad de aplicaciones que ofrecen a los clientes flexibilidad para sus requisitos de diseño.