JFET de cascode de carburo de silicio (SiC)

Los JFET cascode de SiC de alto rendimiento de ONSemi ofrecen una excelente velocidad de conmutación, menores pérdidas de conmutación y mayor eficiencia. Ofrecen una alta frecuencia de conmutación y una resistencia en estado activo (R_DS(ON)) ultrabaja, a partir de tan solo 5 mΩ, utilizando menos de la mitad del tamaño de cualquier otra tecnología. Los JFET están disponibles tanto en paquetes estándar con orificio pasante (incluido Kelvin) como en paquetes de montaje en superficie, lo que ofrece una excelente rentabilidad. Estos dispositivos utilizan una configuración cascode única, que integra un JFET rápido de SiC de alto rendimiento con un MOSFET de Si optimizado para cascode. Este innovador enfoque permite una conducción de puerta estándar (0 a 12 V) para dispositivos de SiC. Dado su tamaño de chip más pequeño y su compatibilidad con las soluciones de controlador existentes, los JFET de cascode de SiC ofrecen un rendimiento optimizado del sistema y una estructura de costos.