MOSFET de potencia series NTMFS5H4xx y NTMFS5H6xx

Productos
Parte posterior
Fabricantes
Parte posterior
Recursos
Parte posterior
- Edificio
- Contenido
- Aplicaciones y tecnologías
- Artículos y blogs
- Revistas y libros electrónicos
- Maker.io
- Biblioteca de capacitaciones sobre productos
- Tech Forum
- Capacitación y eventos
- Videoteca
- Seminarios web
- Buscar todo
Parte posterior
- Herramienta
- Calculador de conversión
- Referencia cruzada
- Herramientas EDA & Design
- PCB Builder
- Biblioteca de diseño de referencia
- Scheme It
Parte posterior
- Programas y servicios
- Automatización y control
- Servicio de diseño e integración
- Soluciones digitales
- Soluciones IoT
- Seguimiento de piezas
- Servicios de productos
Parte posterior
- Compra
- Herramienta
- My Lists
- Cotizaciones
- Productos
- Fabricantes
Solicitar una cotización

Productos destacados > MOSFET de potencia series NTMFS5H4xx y NTMFS5H6xx

            MOSFET de potencia series NTMFS5H4xx y NTMFS5H6xx
  
                    onsemi presenta los MOSFET de potencia que proporcionan valores de RDS tan bajos como 0.8 mΩ.

Imagen de MOSFET de potencia series NTMFS5H4xx y NTMFS5H6xx de onsemi onsemi presenta las series NTMFS5H4xx y NTMFS5H6xx compuestas por MOSFET de potencia de 40 V y 60 V, capaces de entregar valores R_{DS (ON)} tan bajos como 0.8 mΩ, lo cual permite pérdidas significativas de la conducción y la mejora de los niveles de eficiencia operativa general. También ofrecen muy baja Q_G y capacitancia de entrada, asegurando que las pérdidas del controlador se mantengan tan bajas como sea posible. Los dispositivos están alojados en un paquete compacto SO8FL.

Características		Aplicaciones
Paquete de pequeña huella SO8FL (5 x 6) Sub mΩ R_{RDS (ON)} que reduce al mínimo la pérdida de la conducción 60 V: 1.3 mΩ @ 10 V (máx) a 1.7 mΩ @ 4.5 V (máx) 40 V: 1.1 mΩ @ 10 V (máx) a 1.6 mΩ @ 4.5 V (máx) Baja Q_G y capacitancia para minimizar las pérdidas del controlador 60 V: 40 nC @ 4.5 V_GS (típ) a 89 nC @ 10 V_GS (típ) 40 V: 41 nC @ 4.5 V_GS (típ) a 89 nC @ 10 V_GS (típ) Mejora los parámetros de conmutación 60 V: t_RR 72 ns (típ) 40 V: t_RR 59 ns (típ)		Eficiencia de la conversión CC-CC MOSFET de lado primario Rectificación sincrónica secundaria Regulador reductor Alta eficiencia de conversión CA-CC Rectificación sincrónica secundaria Redes/telecomunicaciones Servidores Adaptadores de CA Herramientas eléctricas portátiles