Transistor de GaN de potencia de RF serie MMRF5017HS

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Productos destacados > Transistor de GaN de potencia de RF serie MMRF5017HS

            Transistor de GaN de potencia de RF serie MMRF5017HS
  
                     NXP ofrece la serie MMRF5017HS con alta ganancia y gran robustez que hacen que este dispositivo sea ideal para aplicaciones de RF de banda ancha, onda continua y pulso.

Imagen de Transistor de GaN de potencia de RF serie MMRF5017HS de NXP NXP ofrece el transistor de GaN de RF y 125 W serir MMRF5017HS que es capaz de operación en banda ancha de 30 MHz a 2200 MHz y es ideal para aplicaciones CW, pulso y de RF de banda ancha. El rendimiento está garantizado para aplicaciones que operan en la banda de 30 MHz a 2200 MHz.

Características
GaN avanzado en SiC, que ofrece alta densidad de potencia Rendimiento de ancho de banda de década Entrada combinada para el funcionamiento de banda ancha extendida		Resistencia alta: > 10:1 VSWR Cumplen con la directiva RoHS
Aplicaciones
Radios móviles públicas, incluyendo radios de servicio de emergencia Industrial, científica, y médica (ISM)		Amplificadores de laboratorio de banda ancha Infraestructura celular inalámbrica