NXP Semiconductors

Transistores de potencia de RF LDMOS

Los transistores de potencia de RF LDMOS de NXP vienen en paquetes TO-220 y TO-247 estándar.

Imagen de transistores de potencia RF LDMOS de NXPNXP Semiconductors ofrece dos bloques de potencia que prometen expandir la industria de energía RF y convertirse en un estándar para los años venideros. La simplicidad de estos transistores LDMOS se encuentra en la disponibilidad conjunta de energía de RF en los dominantes paquetes de potencia TO-220 y TO-247, facilitando el montaje. Los paquetes TO-220 y TO-247 permiten montar los transistores de potencia RF con una simple tecnología de orificio pasante, eliminando la necesidad de un proceso complejo de reflujo de soldadura que simplifica dramáticamente la fabricación. Los compactos circuitos de referencia pueden ser reutilizados desde 1,8 MHz a 250 MHz, resultando en un ahorro considerable y una cadena de suministro simplificada para la mayoría de los sistemas de HF y VHF.

Características
  • Reutilización de diseño PA sobre frecuencias
    • El MRF300AN es apoyado por una serie de circuitos de referencia de banda estrecha que comparten el mismo diagrama de placa de CI (2" x 3" o 5,1 cm x 7,1 cm), permitiendo a los diseñadores de RF generar amplificadores de potencia para hacer frente rápidamente a otras frecuencias
  • Dos configuraciones de pin permiten diseños de banda ancha
    • Ambas soluciones de 100 W y 300 W vienen en 2 versiones de pines que son espejo una de la otra para soportar configuraciones en contrafase
  • Montaje flexible y de bajo costo
    • Muchas opciones de montaje proporcionan una gran flexibilidad que ayuda a reducir aún más el BoM y el tiempo de introducción al mercado.
    • Los dominantes paquetes TO-220 y TO-247 hacen posible montar los transistores de potencia RF con una simple tecnología de orificio pasante, eliminando la necesidad de un proceso complejo de reflujo de soldadura, lo cual mejora considerablemente la usabilidad en la fabricación
Aplicaciones
  • Industrial, científica, y médica (ISM)
    • Generación de láser
    • Marcado de plasma
    • Aceleradores de partículas
    • MRI y otras aplicaciones médicas
    • Calefacción industrial, soldadura y sistemas de secado
  • Broadcast
    • Programa de radio
    • Televisión VHF
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Aplicaciones aeroespaciales
    • Gama omnidireccional del VHF (VOR)
    • Comunicaciones HF y VHF
    • Radar
  • Radio móvil
    • Estaciones base de VHF y UHF
    • Radio aficionado

LDMOS RF Power Transistors

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300BNRF MOSFET LDMOS 50V TO24738 - Inmediata$82.19Ver detalles
RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300ANRF MOSFET LDMOS 50V TO2470 - InmediataSee Page for PricingVer detalles

Development Boards

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330WMRF300A-40MHZMRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330W0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MRF300AN REF BRD 27MHZ 330WMRF300A-27MHZMRF300AN REF BRD 27MHZ 330W0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
Publicado: 2018-06-20

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