NXP Semiconductors

Transistores de potencia de RF de 100 W en paquete TO-220

Los transistores LDMOS de RF de NXP simplifican la fabricación con paquetes de tipo estándar de la industria y múltiples opciones de pin-out

Los transistores de potencia de RF MRF101AN y MRF101BN de 100 W de Imagen de los transistores de potencia de RF de 100 W de NXP en paquete TO-220NXP están diseñados para usarse en comunicaciones VHF/UHF, transmisiones de TV VHF y aplicaciones aeroespaciales, así como también en aplicaciones industriales, científicas y médicas. Los dispositivos son excepcionalmente resistentes y presentan un alto rendimiento de hasta 250 MHz.

La tecnología LDMOS ahora está disponible para estos transistores de RF en los paquetes de energía omnipresentes TO-220, lo que les permite a los clientes utilizar procesos de ensamblaje bien establecidos. Estos transistores se ofrecen con circuitos de referencia muy compactos que pueden reutilizarse desde 1.8 MHz hasta 250 MHz, lo que se traduce en un ahorro considerable y un rápido tiempo de comercialización.

 Imagen de los transistores de potencia de RF de 100 W de NXP en paquete TO-220

Video: NXP aporta paquetes estándar a la potencia de RF

Características
  • Potencia nominal de 100 W (onda continua)
  • 1.8 MHz a 250 MHz
  • LDMOS de 50 V
  • Entrada y salida sin precedentes
  • Resistencia térmica de 1.1°C/W
  • Robustez extrema: maneja relación de ondas estacionarias de voltaje (VSWR) de 65:1
  • Disponibilidad garantizada hasta 2033 mínimo
  • El paquete de plástico sobremoldeado estándar TO-220 ofrece opciones de montaje flexible y de bajo costo
  • Los circuitos de referencia comparten el mismo diseño de la placa de CI, lo que permite la reutilización del diseño sobre las frecuencias
  • Configuraciones de pines duplicados que admiten diseños en contrafase
Aplicaciones
  • Industriales, científicas y médicas (ISM)
    • Generación de láser
    • Marcado de plasma
    • Aceleradores de partículas
    • MRI y otras aplicaciones médicas
    • Calefacción industrial, soldadura y secado
  • Emisiones
    • Transmisiones de radio
    • Transmisiones de TV VHF
  • Radios móviles
    • Estaciones base VHF
  • Comunicaciones HF y VHF
  • Fuentes de alimentación conmutadas

100 W RF Power Transistors in TO-220 Package

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3MRF101ANRF MOSFET LDMOS 50V TO220-3956 - Inmediata$41.96Ver detalles
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3MRF101BNRF MOSFET LDMOS 50V TO220-3100 - Inmediata$36.89Ver detalles

Reference Circuits

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MRF101AN REF BRD 230MHZ 115WMRF101AN-230MHZMRF101AN REF BRD 230MHZ 115W1 - Inmediata$1,260.00Ver detalles
MRF101AN REF BRD 40.68MHZ 120WMRF101AN-40MHZMRF101AN REF BRD 40.68MHZ 120W0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MRF101AN REF BRD 81.36MHZ 130WMRF101AN-81MHZMRF101AN REF BRD 81.36MHZ 130W0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3MRF101AN-STARTRF MOSFET LDMOS 50V TO220-30 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MRF101AN REF BRD 13.56MHZ 130WMRF101AN-13MHZMRF101AN REF BRD 13.56MHZ 130W0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MRF101AN REF BRD 27MHZ 125WMRF101AN-27MHZMRF101AN REF BRD 27MHZ 125W5 - Inmediata$444.09Ver detalles
MRF101AN REF BRD 50MHZ 119WMRF101AN-50MHZMRF101AN REF BRD 50MHZ 119W1 - Inmediata$444.09Ver detalles
MRF101AN REF BRD 108MHZ 115WMRF101AN-88MHZMRF101AN REF BRD 108MHZ 115W1 - Inmediata$444.09Ver detalles
MRF101AN REF BRD 174MHZ 100WMRF101AN-VHFMRF101AN REF BRD 174MHZ 100W1 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
Publicado: 2019-01-04

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