MOSFET PSMNxRx para administración de energía

Los MOSFET de canal N de alto rendimiento PSMN2R3-100SSE y PSMN1R9-80SSE de Nexperia están diseñados para ofrecer una eficiencia y fiabilidad superiores en aplicaciones de gestión de la energía. Estos MOSFET forman parte de los MOSFET específicos para aplicaciones (ASFET) de Nexperia para intercambio en caliente y arranque suave, y ofrecen un rendimiento mejorado en el área de funcionamiento seguro (SOA). El PSMN2R3-100SSE ofrece un voltaje máximo de fuente de drenaje (V_DS) de 100 V y un R_{DS (ON)} ultra bajo de 2,3 mΩ, mientras que el PSMN1R9-80SSE proporciona un V_DS de 80 V y un R_{DS (ON)} de 1,9 mΩ. Ambos dispositivos están alojados en el paquete LFPAK88 (SOT1235), compacto y de alta fiabilidad, que garantiza un excelente rendimiento térmico y robustez. Estos MOSFET son ideales para aplicaciones tales como intercambio en caliente, interruptor de carga, arranque suave y fusible electrónico en sistemas de telecomunicaciones y computación basados en una placa base de 48 V o un carril de alimentación. Con bajas pérdidas por conducción, alta capacidad de manejo de corriente y un robusto funcionamiento en modo lineal, los modelos PSMN2R3-100SSE y PSMN1R9-80SSE son la elección perfecta para diseños exigentes de gestión de la alimentación.