Diodos de barrera Schottky SiC de la próxima generación

Microsemi anuncia el pronto lanzamiento de productos de diodos de barrera de Schottky SiC de 1200 V, 10 A y 20 A con diodos SiC de 30 A y 50 A. Con calificación avalancha energía/UIS 20% más elevada que sus competidores SiC, resistencia de sobrecorriente alta repetitiva y eficiencia inherente de SiC y las ventajas del sistema de costos sobre los diodos Si, los diodos SiC de Microsemi son ideales para aplicaciones de electrificación como PFC y rectificación de salida en módulos de la estación de carga de HEV/EV de alta tensión, cargadores a bordo, convertidores CC-CC, sistemas de recuperación de energía de salida y fuentes de alimentación de modo de conmutación.

Ventajas de los SBD SiC sobre los diodos Si

• Eficiencia en un voltaje más alto (>650 V) y mayor frecuencia de conmutación
• Baja tensión directa (V_F) para las pérdidas estáticas inferiores y mayor eficiencia energética
• EMI bajo casi sin carga de recuperación inversa (Q_rr) durante la conmutación dura
• Operación estable a mayor temperatura (+175º C)
• Eficiencia del sistema con aumento de salida de potencia superior al 25% para las mismas dimensiones físicas y costos más bajos (menor magnetismo y filtrado, menores costos de enfriamiento y disipador térmico, etc.)