Microchip Technology

MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 3300 V MSC400SMA330

El alto rendimiento del MSC400SMA330 de Microchip ayuda a maximizar la eficiencia del sistema y a minimizar su peso y tamaño.

Imagen del MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 3300 V MSC400SMA330 de MicrochipMSC400SMA330 forma parte de la familia de dispositivos MOSFET de SiC de Microchip. Las soluciones de Sistema en chip (SiC) de Microchip se centran en el alto rendimiento, ayudando a maximizar la eficiencia del sistema y a minimizar su peso y tamaño. La probada fiabilidad del SiC de Microchip también garantiza la ausencia de degradación del rendimiento a lo largo de la vida útil del equipo final.

Características

  • Baja capacitancia y baja carga de puerta de enlace
  • Rápida velocidad de conmutación gracias a la baja ESR de la puerta de enlace interna
  • Funcionamiento estable a alta temperatura de unión, TJ(max) = 150°C
  • Diodo corporal rápido y fiable
  • Resistencia superior a las avalanchas
  • Cumple con la directiva RoHS

MSC400SMA330 3300 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24MSC400SMA330B4MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-240 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
Publicado: 2024-01-19

Related Articles and Blogs

Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.