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Series de IGBT en trinchera con parada de campo
Los dispositivos de la serie IGBT en trinchera con parada de campo de MCC permiten corrientes de 40 A con voltaje máximo de 650 V y 1200 V.
Con la introducción de su tecnología de trinchera con parada de campo, Micro Commercial Components continúa su expansión de productos en el mercado de semiconductores de potencia. Los primeros dispositivos IGBT permiten corrientes de 40 A con un voltaje máximo de 650 V y 1200 V. Otros niveles de voltaje y corriente están en proceso de desarrollo. La tecnología de trinchera de parada de campo ofrece bajas conducciones (baja Vce (sat)) y bajas pérdidas de conmutación (baja EAPAGADO ) y permite el paralelismo debido al coeficiente de temperatura positivo. Las aplicaciones típicas de estos IGBT son topologías de medio puente o puente completo, según se requiera en inversores para motores o energías renovables, UPS, soldadura y calentamiento por inducción.
- Baja Vce (sat) para conmutación rápida
- Vce (sat) con coeficiente de temperatura positivo
- Gran robustez, buena estabilidad térmica
- Distribución de parámetros muy ajustada
- Sin halógenos
- El epoxi cumple con el grado de la inflamabilidad UL 94 V-0.
- Sin plomo y cumplen con la directiva RoHS
- Controladores de inversor
- Inversores solares
- UPS
- Soldadura
- Calentamiento por inducción
Field Stop Trench IGBT Series
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MIW40N120-BP | IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 | 0 - Inmediata | See Page for Pricing | Ver detalles |
| | MIW40N65-BP | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 | 0 - Inmediata | $5.21 | Ver detalles |
México