MOSFET de potencia GigaMOS™ TrenchT2™

IXYS/Littelfuse ha ampliado su familia de productos GigaMOS con los MOSFET de potencia GigaMOS TrenchT2 estándar e HiPerFET™. Estos dispositivos se ofrecen con calificaciones de voltaje de drenaje a fuente de 40 V a 170 V y proporcionan alta capacidad de corriente de hasta 600 (Tc @ 25° C). Las alta calificaciones nominales combinadas de corriente de estos MOSFET y las opciones de paquete compacto disponibles ofrecen a los diseñadores la capacidad de controlar más potencia dentro de un espacio más pequeño. Estos dispositivos también promueven la consolidación del dispositivo a través de la reducción o eliminación de múltiples dispositivos MOSFET en paralelo con calificaciones de corriente inferiores en aplicaciones de conmutación de alta potencia. Esto resulta en una reducción en el conteo de piezas así como el número de componentes de impulsión requeridos, mejorando el costo, la confiabilidad y la simplicidad del sistema total.

• Alta capacidad de corriente: hasta 600 A
• Bajo RDS (encendido) y carga de compuerta (Qg)
• Incorpora la tecnología HiPerFET de IXYS para rápido rendimiento de conmutación
• Capacidades de avalancha