Diodos de barrera schottky de SiC de la serie DCK

La serie DCK de diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de IXYS, una tecnología de Littelfuse, tiene una corriente de recuperación inversa insignificante, alta capacidad de sobretensión y una temperatura máxima de unión de funcionamiento de +175 °C.

Los diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC de 650 V (10 A y 20 A) y 1200 V (10 A, 15 A, 20 A, 30 A y 40 A) de la serie DCK de IXYS, una tecnología de Littelfuse, en paquetes TO-220-2L, TO-247-2L y TO-247-3L están disponibles en configuraciones de cátodo simples y comunes. Los SBD de SiC de Littelfuse permiten que los sistemas electrónicos de potencia logren una mayor eficiencia, altas frecuencias de conmutación y una mayor densidad de potencia en comparación con las soluciones basadas en silicio. Cuentan con diseños avanzados para reducir las pérdidas de energía y mantener un excelente rendimiento de conmutación. Esto los hace adecuados para aplicaciones industriales de alta frecuencia y alta eficiencia, como fuentes de alimentación conmutadas, inversores solares, inversores fotovoltaicos, corrección del factor de potencia, convertidores de CA/CC y accionamientos de motor, y donde se desean mejoras en la eficiencia, la fiabilidad y la gestión térmica.