MOSFET discretos X3 de 600 V de ultraunión HiPerFET™

IXYS, una tecnología de Littelfuse, ofrece MOSFET de ultraunión de canal N que proporcionan una excelente figura de mérito (RDS_(ON) multiplicada por Q_g), lo que se traduce en menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite mayores densidades de potencia y eficiencias energéticas en los sistemas de potencia. Los últimos MOSFET de potencia de clase X3 de ultraunión presentan una resistencia de canal RDS_(ON) y una carga de compuerta Q_g significativamente reducidas. Esta familia presenta una reducción significativa de la figura de mérito (FOM) - RDS_(ON) x Q_g en comparación con la clase X2 predecesora. Estas ventajas permiten a los diseñadores conseguir una mayor eficiencia y una mayor densidad de potencia. Esta serie HiPerFET™ de MOSFET de potencia cuenta con diodos de cuerpo que ofrecen una baja carga de recuperación inversa (Q_RM) y un corto tiempo de recuperación inversa (t_rr). Los MOSFET de 600 V de clase X3 de ultraunión pueden utilizarse para aplicaciones que incluyen la rectificación sincrónica para fuentes de alimentación de telecomunicaciones, control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, convertidores de CC-CC, inversores solares e inversores multinivel.

Recursos

• Catálogo de productos de semiconductores de potencia
• Motores industriales y arrancadores suaves
• Iluminación de LED inteligente