Prueba industrial y extendida DDR3/3L SDRAM

Los dispositivos de prueba industriales y extendidos son DRAM sincrónicas DDR3/3L de alta velocidad examinadas con flujo de prueba extendido patentado de Insignis para mitigar las fallas en la vida temprana, asegurando una calidad superior y una confiabilidad a largo plazo para el uso industrial. El chip está diseñado para cumplir con todas las características clave de DRAM DDR3L, incluida la compatibilidad total con DDR3, con la única excepción del voltaje requerido entre la parte DDR3 de 1 Gb y la parte DDR3L de 1 Gb. Todas las entradas de control y dirección están sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente. Las entradas se bloquean en el punto de cruce de los relojes diferenciales (aumento de CK y caída de CK#). Todas las E/S están sincronizadas con el par DQS diferencial en una fuente sincrónica.

Todas las piezas DDR3 de 2 Gb están cubiertas por DDR3L de 2 Gb. Las piezas DDR3 y DDR3L de 2 Gb funcionan con una sola fuente de alimentación de +1,35 V a 0,067 V/+0,1 V. Las piezas DDR3 de 1 Gb tienen un voltaje requerido de 1,5 V, mientras que las piezas DDR3L de 1 Gb tienen un voltaje requerido de 1,35 V. Todas las piezas están disponibles en paquetes BGA.