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MOSFET XHP™ 2 de 2.300 V CoolSiC™
Los MOSFET de Infineon Technologies ofrecen una topología de medio puente en un encapsulado estandarizado de baja inducción.
El módulo MOSFET XHP 2 CoolSiC de 2.300 V y 1,0 mΩ de Infineon Technologies ofrece una topología de medio puente en un encapsulado estandarizado de baja inducción. Aprovecha la robusta tecnología de interconexión .XT para una mayor vida útil y la mejor fiabilidad de su clase y también está disponible con material de interfaz térmica (TIM) preaplicado para simplificar el montaje y mejorar la consistencia térmica.
Características
- MOSFET CoolSiC con compuerta de trinchera de 2,3 kV con estabilidad y fiabilidad a largo plazo probadas en el campo
- Bajas pérdidas por conmutación y conducción con RDS(ON) de hasta 1,0 mΩ (a +25°C)
- Paquete estandarizado XHP 2 de baja inducción
- Tecnología de interconexión .XT para una fiabilidad de primera y una mayor vida útil
Aplicaciones
- Sistemas de almacenamiento de energía
- Tracción
- Renovables
- Inversores fotovoltaicos
XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 | FET 2N-CH 2.3KV 1.18KA AGXHP2K23 | 4 - Inmediata | $4,131.38 | Ver detalles |
| | FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | FET 2N-CH 2.3KV 1KA AG-XHP2K23 | 4 - Inmediata | $3,389.79 | Ver detalles |
| | FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | FET 2N-CH 2.3KV 710A AG-XHP2K23 | 3 - Inmediata | $2,737.50 | Ver detalles |
| | FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | FET 2N-CH 2.3KV 675A AG-XHP2K23 | 4 - Inmediata | $2,767.49 | Ver detalles |
Actualizado: 2026-02-05
Publicado: 2026-01-22
